%0 Journal Article %T تأثیر پرتو گاما بر جوانه‌زنی هاگ و رشد ریسه‌ای پنی‌سیلیم اکپانسیم عامل بیماری پس از برداشت میوه‌ی سیب %J مجله علوم و فنون هسته ای %I پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای %Z 1735-1871 %A اهری‌ مصطفوی, حسین %A میرمجلسی, سیدمهیار %A میرجلیلی, سیدمحمد %A فتح‌اللهی, هادی %A منصوری‌پور, سیدمجتبی %A بابایی, محمد %D 2012 %\ 02/20/2012 %V 32 %N 4 %P 49-54 %! تأثیر پرتو گاما بر جوانه‌زنی هاگ و رشد ریسه‌ای پنی‌سیلیم اکپانسیم عامل بیماری پس از برداشت میوه‌ی سیب %K پرتو گاما %K بیماری‌های پس از برداشت %K جوانه‌زنی هاگ %K پنی‌سیلیم اکپانسیم %K دزهای تابش %K سیب‌ها %R %X بیماری کپک آبی با عامل پنی­سیلیم اکپانسیم به عنوان خسارت­زاترین عامل بیماری در طول دوره­ی انبارمانی مطرح می­باشد. در این تحقیق، اثر بازدارندگی دزهای مختلف پرتو گاما بر جوانه­زنی هاگ و ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم، عامل بیماری پس از برداشت میوه­ی سیب مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور پنی­سیلیم اکپانسیم از میوه­های سیب آلوده با علایم لهیدگی جداسازی شد. برای بررسی تاثیر پرتو گاما بر جوانه­زنی، سوسپانسیون هاگ قارچ (با غلظت 104 هاگ برمیلی­لیتر) در معرض دزهای 0، 100، 300 و 600 گری پرتو گامای دستگاه گاماسل با چشمه­ی کبالت-60 و با نرخ دز 0.2  گری در ثانیه قرار گرفت. هم­چنین برای بررسی اثر پرتو گاما بر رشد ریسه­ای، یک قطعه­ی  0.5 سانتی­متری از کلنی سه روزه­ی قارچ به محیط کشت سیب­زمینی- دکستروز- آگار انتقال یافته و با دزهای 0، 1500، 2000، 2500،3000 و 3500 گری پرتودهی گردید. نتایج حاصل نشان داد که پرتودهی با دز حدود 600 گری، به طور کامل مانع جوانه­زنی هاگ قارچ می­شود، و دزهای بالاتر از 3000 گری توانست به طور کامل مانع رشد ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم شود. %U https://jonsat.nstri.ir/article_404_303927d10213edc19b1d251ccf2b3390.pdf