TY - JOUR ID - 404 TI - تأثیر پرتو گاما بر جوانه‌زنی هاگ و رشد ریسه‌ای پنی‌سیلیم اکپانسیم عامل بیماری پس از برداشت میوه‌ی سیب JO - مجله علوم و فنون هسته ای JA - NST LA - fa SN - 1735-1871 AU - اهری‌ مصطفوی, حسین AU - میرمجلسی, سیدمهیار AU - میرجلیلی, سیدمحمد AU - فتح‌اللهی, هادی AU - منصوری‌پور, سیدمجتبی AU - بابایی, محمد AD - پژوهشکده تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای، سازمان انرژی اتمی ایران، صندوق پستی: 498-31485، کرج ـ ایران AD - گروه بیماری‌شناسی گیاهی، دانشکده کشاورزی، دانشگاه تربیت مدرس، صندوق پستی: 336-14115، تهران ـ ایران AD - گروه تولیدات گیاهی، دانشگاه جامع علمی- کاربردی مرکز کرج، صندوق پستی: 234-34215، کرج ـ ایران Y1 - 2012 PY - 2012 VL - 32 IS - 4 SP - 49 EP - 54 KW - پرتو گاما KW - بیماری‌های پس از برداشت KW - جوانه‌زنی هاگ KW - پنی‌سیلیم اکپانسیم KW - دزهای تابش KW - سیب‌ها DO - N2 - بیماری کپک آبی با عامل پنی­سیلیم اکپانسیم به عنوان خسارت­زاترین عامل بیماری در طول دوره­ی انبارمانی مطرح می­باشد. در این تحقیق، اثر بازدارندگی دزهای مختلف پرتو گاما بر جوانه­زنی هاگ و ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم، عامل بیماری پس از برداشت میوه­ی سیب مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور پنی­سیلیم اکپانسیم از میوه­های سیب آلوده با علایم لهیدگی جداسازی شد. برای بررسی تاثیر پرتو گاما بر جوانه­زنی، سوسپانسیون هاگ قارچ (با غلظت 104 هاگ برمیلی­لیتر) در معرض دزهای 0، 100، 300 و 600 گری پرتو گامای دستگاه گاماسل با چشمه­ی کبالت-60 و با نرخ دز 0.2  گری در ثانیه قرار گرفت. هم­چنین برای بررسی اثر پرتو گاما بر رشد ریسه­ای، یک قطعه­ی  0.5 سانتی­متری از کلنی سه روزه­ی قارچ به محیط کشت سیب­زمینی- دکستروز- آگار انتقال یافته و با دزهای 0، 1500، 2000، 2500،3000 و 3500 گری پرتودهی گردید. نتایج حاصل نشان داد که پرتودهی با دز حدود 600 گری، به طور کامل مانع جوانه­زنی هاگ قارچ می­شود، و دزهای بالاتر از 3000 گری توانست به طور کامل مانع رشد ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم شود. UR - https://jonsat.nstri.ir/article_404.html L1 - https://jonsat.nstri.ir/article_404_303927d10213edc19b1d251ccf2b3390.pdf ER -