نوع مقاله : مقاله فنی
نویسندگان
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، صندوق پستی: 6135783151، اهواز ـ ایران
چکیده
در این مقاله ویژگیهای ساختاری، الکترونی، اپتیکی و گرمایی ایندیم نیترید در فازهای تحت فشار مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو با تقریب‌های LDA، GGA و انجام شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز تحت فشار خاصیت نیمهرسانایی خود را حفظ کرده و دارای ضریب شکست استاتیک 75/2 می‌باشد. هم‌چنین بیش‌ترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اوربیتال s اتم نیتروژن و در نوار رسانش مربوط به اوربیتال‌های s و p اتم ایندیم است. نتایج به دست آمده از ویژگیهای اپتیکی حاکی از انطباق تقریبی ساختار نواری با سهم موهومی تابع دیالکتریک و هم‌چنین برابری تقریبی گاف نواری با گاف اپتیکی است. نتایج به دست آمده با دیگر داده‌های موجود سازگاری دارد.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Investigation of structural, optical, and thermal properties of indium nitride in high pressure phases
نویسندگان [English]
- H. Salehi
- N. Navasr
Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, P.O.Box: 6135783151, Ahvaz – Iran
چکیده [English]
In this paper, the structural, electronic, optical, and thermal properties of indium nitride in the pressure phases are investigated. The calculations are performed using the pseudopotential method in the framework of density functional theory and by using the quantum-espresso Package. In the calculations, the exchange-correlation terms of LDA, GGA, and PBE0 approximation are used. The results show that indium nitride retains its semiconducting properties under the pressure phase and has a static refractive index of 2.75. And the largest part in the valence band is related to the orbital s of the N atom and in the conduction band is to the orbitals of s and p of the In atom. The results of the optical properties show that the band structure approximation corresponds to the imaginary contribution of the dielectric function as well as the approximate equality of the bandgap to the optical bandgap. The results are consistent with other available data.
کلیدواژه‌ها [English]
- Density functional theory
- Indium nitride
- Band gap
- Optical gap
)